首先要求對分子篩進行加熱所需的蒸汽壓力、流量等要達到工藝設計要求的條件。
加熱再生過程可通過再生溫度曲線來判斷,如圖145所示。圖中,AB為卸壓階段。由于壓力下降,分子篩的吸附容量減小,原來被吸附的水分和二氧化碳分子有部分解吸出來,溫度下降。
BC為加熱階段。污氮氣進口溫度迅速升高,但是出口溫度開始還會繼續下降,然后才逐漸升高。因為此時的熱量首先消耗在解吸所需的熱量上,將床層的中上部分子篩解吸,并將熱量貯存在床層中。這一階段對再生效果的影響因素是:氮氣流量、加熱時間和再生溫度。主要是監控污氮進口溫度。
CD為冷吹階段。污氮出口溫度會繼續升高。在該階段之初,是利用貯存在分子篩床層內的熱量對下部的分子篩繼續進行解吸,直至冷吹曲線的最高占--“冷吹峰值”該溫度是整個床層再生是否徹底的標志。因為在出口部位最不容易再生徹底。如果該處的溫度能達到要求,內部的溫度肯定要超過此溫度,表示內部均已再生完畢。因此,在冷吹階段主要是監視出口的峰值溫度。
加熱再生過程可通過再生溫度曲線來判斷,如圖145所示。圖中,AB為卸壓階段。由于壓力下降,分子篩的吸附容量減小,原來被吸附的水分和二氧化碳分子有部分解吸出來,溫度下降。
BC為加熱階段。污氮氣進口溫度迅速升高,但是出口溫度開始還會繼續下降,然后才逐漸升高。因為此時的熱量首先消耗在解吸所需的熱量上,將床層的中上部分子篩解吸,并將熱量貯存在床層中。這一階段對再生效果的影響因素是:氮氣流量、加熱時間和再生溫度。主要是監控污氮進口溫度。
CD為冷吹階段。污氮出口溫度會繼續升高。在該階段之初,是利用貯存在分子篩床層內的熱量對下部的分子篩繼續進行解吸,直至冷吹曲線的最高占--“冷吹峰值”該溫度是整個床層再生是否徹底的標志。因為在出口部位最不容易再生徹底。如果該處的溫度能達到要求,內部的溫度肯定要超過此溫度,表示內部均已再生完畢。因此,在冷吹階段主要是監視出口的峰值溫度。